英特爾目前正在推進 14A 制程 (即 1.4 納米級) 是該公司首個專門為英特爾及代工客戶從頭設計的制造工藝，該制程的成本要高于英特爾即將推出的 18A 制程，原因在于晶圓使用的光刻機更加先進。

該公司首席財務官大衛(wèi)?津斯納在花旗銀行舉辦的 2025 年全球 TMT 大會上表示：英特爾 14A 制程要比 18A 制程更貴，就投資而言 14A 制程的成本確實沒有高很多，但晶圓成本肯定更高，部分原因就是我們預計 14A 制程會使用高數值孔徑 EUV 光刻機，而 18A 制程并沒有使用這種光刻機。

具體來說在英特爾 14A 制程中英特爾將使用由阿斯麥 (ASML) 提供的 Twinscan EXE:5200B 高數值孔徑光刻機，這種光刻機配備 0.55 數值孔徑的光學元件。

不過整體制造成本的提高當然也可以反映到性能和能耗方面，英特爾預計 14A 制程的每瓦性能提升 15%~20%，而功耗則可以降低 25%~35%，也就是性能更好的同時還能提供更長的續(xù)航時間。

這項新制造技術采用升級版的環(huán)柵極晶體管架構 RibbonFET 2 以及背面供電網絡 PowerDirect，背面供電網絡可以將電源線直接連接到晶體管的源極和漏極而不需要增加太長的引線 ( 有關背面供電技術可以點擊這里查看詳細介紹 )。

英特爾 14A 制程還有個關鍵創(chuàng)建名為 Turbo Cells，該技術通過在密集標準單元庫中使用高驅動、雙倍高度單元來優(yōu)化關鍵時序路徑，在不需要大幅度犧牲面積或功耗的情況下可以有效提升 CPU 和 GPU 頻率。

阿斯麥的 Twinscan EXE 高數值孔徑 EUV 系統(tǒng)單次曝光即可實現(xiàn) 8 納米分辨率，相比目前低數值孔徑 EUV 系統(tǒng)的 13.5 納米分辨率有著顯著提升，盡管低數值孔徑 EUV 系統(tǒng)也能通過雙重曝光達到 8 納米分辨率，不過這會增加工藝的復雜性并影響良品率。

當然英特爾也希望能夠提升自己的 CPU 技術和為代工客戶提供先進制程，即便 Twinscan EXE:5200B (或后續(xù)機型) 的單臺價格高達 3.8 億美元，此前阿斯麥的低數值孔徑 EUV 光刻機售價為 2.35 億美元，所以英特爾也是下了血本。

值得注意的是大衛(wèi)?津斯納也再次復述英特爾首席執(zhí)行官陳立武 (Lip-Bu Tan) 的說法，即如果英特爾 14A 制程代工無法獲得外部客戶的訂單，那就很難證明 14A 制程的合理性。

陳立武此前曾表示如果英特爾 14A 制程找不到重要的外部代工客戶，那英特爾就會選擇放緩技術開發(fā)速度甚至是徹底放棄該制程，畢竟繼續(xù)研發(fā)和提升技術的成本實在是太高。

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